SJT 10268-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CF253型低功耗运算放大器
ID: |
8697AE0F8D9048F4008B6E80ADB6AB56 |
文件大小(MB): |
0.21 |
页数: |
15 |
文件格式: |
|
日期: |
2009-5-17 |
购买: |
文本摘录(文本识别可能有误,但文件阅览显示及打印正常,pdf文件可进行文字搜索定位):
rJ,中华人民共和国电子工业行业标准,SJ/T 10266一10270-91,电 子 元 器件详细规范,半导体集成电路运算放大器,(一 ),1991一11一12发布1992-01-01实施,中华人民共和国机械电子工业部发布,中华人民共和国电子工业行业标准,电 子 元 器 件 详 细 规 范,半导体集成电路CF253型低功耗运算放大器,De tai ls p ec ifi cat io nf or e le ct ron ic c omponents S J/T 102 68 - 9 1,Semiconductor integrated circuit-CF253 type low power operational amplifier,(可供认证用),本 标 准 规定了半导体集成电路CF253型低功耗运算放大器质量评定的全部内容,本 标 准 符合GB 4589.1 K半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12750《半导,体集成电路分规范(不包括混合电路)》的要求,中 国 电子 元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所,中华人民共和国机械电子工业部1991-11-12批准1992-01-01实施,SJ/T 10268-91,中华人民共和国机械电子工业部IECQ,评定器件质量的依据:,GB 4589.“半导体器件分立器件和集成,电路总规范》,GB/T 12750《半导体集成电路分规范(不包,括混合电路)》,SJ/T 10268-91,CF253型低功耗运算放大器详细规范,订货资料:见本规范第7章,1 机械说明:,外 形 依 据 :G B7 092《半导体集成电路外,形 尺寸》,外 形 图 :按 G B 7092,TJ0f'一:一. 46.A1&A&5.45 .16.4i2 +A J0 8 S2,引 出 端 排 列 :,以 )M P之,CUM P,T a ,I v 十,IN-I N+ 2 3 4 J 6 YN IO U丁 V _,}。【)M。行COMP,IN A 1 2 了1 i v .,IN A 1 3 6 1 1 011T,”七 七 一 一‘ 目 “,引 出 端 符 号 名称:见本规范第n 章,标 志 :按 G B 4589.1 第2.5 条及本规范,第 6章,2 简要说明,双 极 型 集成特殊运算放大器,半 导 体 材料:硅,封 装 :空 封,电 原 理 图:见本规范第11章,品 种 :,a x,一20--80 C:,(C ),一40--85 C,(E ),一55- 125℃,(M ),黑lk直插(J) CF253CJ CF253EJ CF253MJ,金属圆壳(T) CF253CT CF253ET CF253M T,3 质量评定类别,I , I A , 【B,I C,口,2 7,参考数据,Pn=3. 3mW(含偏置电阻,最大值),按本规范鉴定合格的器件,其有关制造厂的资料,可在现行合格产品目录中查到.,Sa/T 10268- 91,4 极限值(绝对.大额定值),若无其它规定,适用于全工作温度范围,条欲号参数符号,数值,单位,最小最大,4.1 电旅电压翻. 士18 v,4.2 允许功耗r 500 mW,4.3 差模输入电压.山士30 V,4.4 共模输入电压价c 士15" v,4.5 工作温度范围,c,Tamb,一2a 80,E 一40 R5 ℃,M 一55 125,4.6 贮存温度范围2's', 一65 150 ℃,注:1)电源电压为士15V时之值.,5 电工作条件和电特性,电特 性 的 检验要求见本规范第8章.,5.1 电工作条件,若 无 其 它规定,适用于全工作温度范围,条款号参数符号,数值,单位,最小最大,5.1.1 电源电压1一5 士3 士15 V,5.1.2 外偏置电阻(接V+) R盯0.2 1.0 M Q,5.1.3 补偿电容Cc 30 pF,5.2 常温电特性,T. .。 二 250C,条款号特性和条件符号,规范值,单位试验,最小典型最大,5.2.1,输入失调电压,1',=士3~ 士15V Il.,=1MQ Cc=30PF,1_K=0 1'=0 e,=50c?,1 1. 1.0 5.0 m V A3,5.2.2,输入失调电流,.汤二士3~士15V !!,=1M$2 Cc=30pF,FK=O Fa =0 几=20kf2,1, 4 50 nA A3,一38一,SJ/T 10268-91,续表,条款号特性和条件符号,规范值,单位试验,最小典型最大,5. 2. 3,输入偏置电流,1厂:=士3~ 士15V R, 1MQ Cc=30PF,1',,=0 价0=0 Rs-2胜0,14 20 100 n人A3,5.2.4,输入电阻,1一,=士3一士15V 几:二[M。开环,R.. 1 6 M Q CZ臼,5.2.5,开环电压增益,「,二士3~士15V 凡=1MS2 R,,=2kR,C}=30pF I'.=士10V,A,. 90 110 dB A3,5.2.6,电源电流,[、二士15V R,=1MR,八40 80 pA 人3,5.2.7,输出峰一峰电压,Re,=1MR Cc=30PF,&)2W,蕊一5, 士15V,节理p,士10 士13.5,V,A 3,[:二士3V 士1.5,5.2.8,共模抑制比,1'., 士3~士15V It,=1MR C<=30PF,「。=士IOv,K- 的100 dB A 3,5.2.9,电源电压抑制比,r'.二士15V △[一,二士2v R,=1MR,C-30pF,K 80 100 dB A3,注 l )运 算……
……